ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲器等領(lǐng)域的研究。模塊化設(shè)計的TF Analyzer 2000 E具有優(yōu)異的...

鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 2000E

TF ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲器等領(lǐng)域的研究。
模塊化設(shè)計的TF Analyzer 2000 E具有優(yōu)異的擴展性。

• FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測試；
• MR模塊-磁阻和鐵性材料測試；
• RX模塊-弛豫電流測試；
• DR模塊-自放電測試。
  

測試基本單元：包括內(nèi)置完整的專用計算機主機和測試版路、運算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等，Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專用測試軟件等。
FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測試功能：
Dynamic Hysteresis 動態(tài)電滯回線測試頻率（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊0.001Hz~5kHz）； 
Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測試； 
PUND 脈沖測試；
Fatigue 疲勞測試；
Retention 保持力；
Imprint 印跡；
Leakage current漏電流測試；
Thermo Measurement 變溫測試功能。

FE模塊可選測試功能：
C-V curve電容-電壓曲線； 
Piezo Measurement壓電性能測試； 
Pyroelectric Measurement熱釋電性能測試； 
In-situ Compensation 原位補償；
DLCC 動態(tài)漏電流補償功能。

技術(shù)說明：
電壓范圍： +/- 25 V（可選的附加高壓放大器可擴展至+/- 10KV）； 
電滯頻率：5 kHz（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊）；
最小脈沖寬度：2 μs；
最小上升時間：1 μs；
電流放大范圍：1pA～1A；
最大負荷電容：1μF；
輸出電流峰值：+/-1 A。
可擴展部件：
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測試平臺、超導(dǎo)磁體、PPMS等。

MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續(xù)電流激勵和測試，樣品上的電壓降通過高精度四點測試。

RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測試條件非常接近實際情況，因此通過這種方式可容易地測試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 2000E提供了256個自動測試的通道，大大擴展了該儀器的測試功能。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測試需求以及科研方向進行獨立選擇或者任意組合。

TF ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲器等領(lǐng)域的研究。
模塊化設(shè)計的TF Analyzer 2000 E具有優(yōu)異的擴展性。

• FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測試；
• MR模塊-磁阻和鐵性材料測試；
• RX模塊-弛豫電流測試；
• DR模塊-自放電測試。
  

測試基本單元：包括內(nèi)置完整的專用計算機主機和測試版路、運算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等，Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專用測試軟件等。
FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測試功能：
Dynamic Hysteresis 動態(tài)電滯回線測試頻率（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊0.001Hz~5kHz）； 
Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測試； 
PUND 脈沖測試；
Fatigue 疲勞測試；
Retention 保持力；
Imprint 印跡；
Leakage current漏電流測試；
Thermo Measurement 變溫測試功能。

FE模塊可選測試功能：
C-V curve電容-電壓曲線； 
Piezo Measurement壓電性能測試； 
Pyroelectric Measurement熱釋電性能測試； 
In-situ Compensation 原位補償；
DLCC 動態(tài)漏電流補償功能。

技術(shù)說明：
電壓范圍： +/- 25 V（可選的附加高壓放大器可擴展至+/- 10KV）； 
電滯頻率：5 kHz（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊）；
最小脈沖寬度：2 μs；
最小上升時間：1 μs；
電流放大范圍：1pA～1A；
最大負荷電容：1μF；
輸出電流峰值：+/-1 A。
可擴展部件：
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測試平臺、超導(dǎo)磁體、PPMS等。

MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續(xù)電流激勵和測試，樣品上的電壓降通過高精度四點測試。

RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測試條件非常接近實際情況，因此通過這種方式可容易地測試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 2000E提供了256個自動測試的通道，大大擴展了該儀器的測試功能。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測試需求以及科研方向進行獨立選擇或者任意組合。

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